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專注于半導(dǎo)體電性能測試
專注于半導(dǎo)體電性能測試
盛夏已過，初秋開場
八月的高溫依舊遲遲不散
生活也免不了被繁雜的工作封印
高壓大功率(6500V/3000A)IGBT測試難？
伴隨著項目需求急、任務(wù)重、要求高
工程師們壓力山大...
不如先Fun松Fun松~
Step 1
轉(zhuǎn)發(fā)朋友圈配文“有獎互動”，設(shè)置所有人可見，截圖保存；
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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！
1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉(zhuǎn)變
SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)“高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。
2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響
由于SiC與Si特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結(jié)果嚴重依賴于測試條件。因此閾值電壓的準確測試，現(xiàn)行可靠性測試方法有：
3、脈寬和溫度對導(dǎo)通電阻的影響
導(dǎo)通電阻 RDSon為影響器件工作時導(dǎo)通損耗的一重要特征參數(shù)，其數(shù)值會隨 VGS 以及T的變化而改變。
4、FIMV、FVMI 對測試的影響
限流保護能夠?qū)㈦妷夯蛘唠娏飨拗圃赟OA區(qū)域，避免器件損壞或炸管。
測試條件：800V 恒壓 10μA 限流
測試條件：100μA 恒流1000V限壓
5、等效電阻對導(dǎo)通壓降測試的影響
? 開爾文（Kelvin）電流檢測電路將提高導(dǎo)通電壓測量精度；
? SOCKET與PIN接觸電阻、測試引線導(dǎo)通電阻。
6、等效電感對導(dǎo)通壓降測試的影響
? 電感過大，電流波形振蕩；
? 線路等效電感、DUT等效電感。
7、線路等效電容對測試的影響
? 普通同軸電纜的等效電容與DUT并聯(lián)，SMU測試時上升以及穩(wěn)定時間長；
? 三同軸電纜等效電容幾乎為0。
參與互動獲得精美禮品
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