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● 高電壓達2000V（最大擴展至8kV）
● 大電流達2000A（可擴展至6000A）
● 低寄生電感設計，＜20nH寄生電感
● 安全防護機制，集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋，支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化，負載電感自動切換
● 溫度范圍廣，可選高溫模塊(常溫～200℃)或熱流儀(-40℃～200℃)

● 兼容多種封裝，可根據測試需求定制夾具

測試項目

●  開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工作區：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的功率半導體，如IGBT、SiC、MOS等產品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試

軟件界面

PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考：

*以上規格如有更新，恕不另行通知。