7月11日，2023慕尼黑上海電子展(Electronica China)在上海國(guó)家會(huì)展中心開(kāi)幕，本屆展會(huì)以“融合創(chuàng)新、智引未來(lái)”為主題，匯聚半導(dǎo)體、無(wú)源器件、智能網(wǎng)聯(lián)&新能源汽車、傳感器、連接器、開(kāi)關(guān)、線束線纜、電源、測(cè)試測(cè)量、印刷電路板、電子制造服務(wù)、先進(jìn)制造等企業(yè)，打造從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的橫跨產(chǎn)業(yè)上下游的專業(yè)展示平臺(tái)，以創(chuàng)新技術(shù)促進(jìn)中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

        普賽斯儀表致力于半導(dǎo)體測(cè)試高端裝備的國(guó)產(chǎn)化，攜全系列半導(dǎo)體電性能測(cè)試主力產(chǎn)品及半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試解決方案亮相本次展會(huì)，吸引眾多工程師和行業(yè)嘉賓前來(lái)體驗(yàn)交流。

        測(cè)試測(cè)量是整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)量控制的有效手段，半導(dǎo)體根據(jù)生產(chǎn)環(huán)節(jié)不同，質(zhì)量控制分為前道檢測(cè)、中道檢測(cè)和后道測(cè)試。前道檢測(cè)又稱為過(guò)程工藝檢測(cè)，面向晶圓制造，檢查光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等晶圓制造環(huán)節(jié)后產(chǎn)品加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求或存在影響良率缺陷，偏向物理性檢測(cè)；中道檢測(cè)面向先進(jìn)封裝，以光學(xué)等非接觸式手段針對(duì)重布線結(jié)構(gòu)、凸點(diǎn)與硅通孔等晶圓制造環(huán)節(jié)的質(zhì)量控制；后道測(cè)試主要面向晶圓檢測(cè)（CP，Circuit Probing）和成品測(cè)試（FT，F(xiàn)inal Test），檢查芯片性能是否符合要求，偏向電性能檢測(cè)。

        圍繞半導(dǎo)體的電性能測(cè)試，普賽斯儀表現(xiàn)場(chǎng)展示了自主研發(fā)的源表系列(SMU)、脈沖恒流源 (FIMV)、高壓電源 (FIMV、FVMI)、脈沖恒壓源以及數(shù)據(jù)采集卡五大類產(chǎn)品，涵蓋直流源表、脈沖源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度的超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表，其穩(wěn)定性、可靠性、一致性得到廣泛的市場(chǎng)驗(yàn)證。、

        聚焦第三代半導(dǎo)體快速發(fā)展下企業(yè)面臨的困境和挑戰(zhàn)，普賽斯儀表副總經(jīng)理兼研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人王承與現(xiàn)場(chǎng)嘉賓進(jìn)行了更深層次的探討。

        針對(duì)SiC/IGBT器件在測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題，普賽斯儀表推薦一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案，具備更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力。具有高電壓(3500V)和大電流(6000A)特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

        針對(duì)氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構(gòu)成的高速器件的I-V測(cè)試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測(cè)試難題。產(chǎn)品具有脈沖電流最高可至10A、脈沖寬度最小可低至100ns；支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式等特點(diǎn)。產(chǎn)品可應(yīng)用于GaN的自熱效應(yīng)，脈沖S參數(shù)測(cè)試等場(chǎng)合。